レーザーダイオード

 

レーザーLDは静電に非常に敏感であり、防静電措置をしないと、手で直接にレーザーパイプ本体に接触しないこと。別に製品は合格な駆動電路が必要であるため正常に作動できる。異なるパワーで電圧は同じですが作動電流は同じではありません。電路はパイプの駆動電流に対して、安全範囲以内に制御するのが必要であり、でないと寿命に与える影響がある。

 

405nm 20mW 200mW   200mW  250mW  350mW  

450nm 50mW   1000mW

638nm 300mW  500mW

660nm 5mW  70mW 320nm

780nm 5mW 10mW  350mW

808nm 500mW 500mW

830nm 100mW, 1000mW

980nm: 500mW

日亜 Nichia:  405nm  405nm 200mW NDV4542 450nm 1000mW NDB7875-E

ソニー Sony: 405nm 250mW SLD3235VF  405nm 350mW SLD3237VFR   405nm 20mW SLD3134VL

三菱 Mitsubishi: 638nm 300mW ML520G71  635nm 500mW ML501P73  650nm 100mW ML101J24

パナソニック Panasonic: 660nm & 780nm  

三洋  SANYO: 658nm 70mW DL-7147-20 830nm 100mW DL-7032-001  DL-3144-008S

OSRAM: 450nm  50mW PLT4NSB 

ROHM:  10mW 780nm  RLD78MD-K   

 

レーザーダイオード (Laser Diode) の、LASERは "Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation（誘導放出による光の増幅）"の頭文字をとったもので、半導体レーザーとも言われ、一般的にLDと略されます。

波長や位相等の性質が全く同じ光が取り出せるため、干渉性が高い (coherent) ことが最大の特長です。

電流を注入することで発生した光が2枚の鏡で往復する間に増幅することでレーザー発振に至ります。簡単に言うと、レーザーダイオードは反射鏡によって光を増幅して発光するLEDと言えます。

素子材料としては、AlGaAs、InGaAlP、InGaN、ZnO等の化合物半導体が用いられ、LSIやTr、Di等で用いられるSiは遷移確率（電流が光に変わる確率）が悪いため、レーザーダイオードには適しません。