半導体レーザーダイオード780nm-785nm 200mW 。
原産国:日本
波長:780nm
出力電力:CW200mW
動作電流:<250mA
電圧:2-2.2 V
パッケージ:3.3mm
動作温度:10℃〜+55℃
10,000以上の時間
光ディスク以外用途向け
応答速度が速い
低消費電力
集光性が良い
光の直進性が良い
小型軽量
単色性に優れている
顧客評価: 0