近赤外高感度、MEMS構造を応用
S11519シリーズは、近赤外域の感度を向上させたSi APDです。本シリーズは、YAGレーザ (1.06 μm)に対して、従来品S8890シリーズに比べ大幅な高感度化を実現しています。また、近赤外域での高感度化に加えて、低バイアス動作を実現しました。従来品S8890シリーズに対して、降伏電圧・暗電流・遮断周波数などの特性を改善しました。
■特長
・近赤外で高感度
・高ゲイン
・低バイアスで安定動作が可能
・受光面サイズ: φ3.0 mm
仕様
タイプ 近赤外タイプ
(1000 nm帯/高感度)
受光面サイズ φ3 mm
パッケージ メタル
パッケージカテゴリ TO-8
最大感度波長 typ. 960 nm
感度波長範囲 600~1150 nm
暗電流 max. 90 nA
遮断周波数 typ. 230 MHz
降伏電圧 typ. 350 V
降伏電圧の温度係数 typ. 1.7 V/℃
増倍率 typ. 100
測定条件 指定のない場合はTyp. Ta=25 ℃
分光感度特性
外形寸法図 (単位: mm)
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