低バイアス動作タイプ、800 nm帯用APD
800 nm帯の近赤外域用のSi APDで、200 V以下の低電圧で動作が可能です。光波距離計・空間光伝送などの用途に適しています。
■特長
・低バイアスで安定動作が可能
・高速応答
・高感度、低ノイズ
仕様
タイプ 近赤外タイプ
(低バイアス動作)
受光面サイズ φ1 mm
パッケージ メタル
パッケージカテゴリ TO-18
最大感度波長 typ. 800 nm
感度波長範囲 400~1000 nm
受光感度 typ. 0.5 A/W
暗電流 max. 2 nA
遮断周波数 typ. 600 MHz
端子間容量 typ. 6 pF
降伏電圧 typ. 150 V
降伏電圧の温度係数 typ. 0.65 V/℃
増倍率 typ. 100
測定条件 指定のない場合はTyp. Ta=25 ℃, 受光感度: λ=800 nm, M=1
分光感度特性
外形寸法図 (単位: mm)
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