S10043Si フォトダイオード
機能
-arf (λ = 193 nm) エキシマレーザーへの曝露後も感度安定性が大幅に向上しました。
-ウィンドウなしのパッケージ
感光面積:10 ×10mm
要素数: 1
パッケージ: セラミック
冷却: 非冷却
逆電圧 (最大): 5v
分光応答範囲: 190 ~ 1000 nm
ピーク感度波長 (標準): 720 nm
感光性 (標準): 0.015 A/W
暗電流 (最大): 1000 pA
立上り時間 (標準): 9 μ s
端子容量 (標準): 4000 pF 測定条件 Ta = 25 ℃、感光性: λ = 193 nm
機能
-arf (λ = 193 nm) エキシマレーザーへの曝露後も感度安定性が大幅に向上しました。
-ウィンドウなしのパッケージ
感光面積:10 ×10mm
要素数: 1
パッケージ: セラミック
冷却: 非冷却
逆電圧 (最大): 5v
分光応答範囲: 190 ~ 1000 nm
ピーク感度波長 (標準): 720 nm
感光性 (標準): 0.015 A/W
暗電流 (最大): 1000 pA
立上り時間 (標準): 9 μ s
端子容量 (標準): 4000 pF 測定条件 Ta = 25 ℃、感光性: λ = 193 nm
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