S11141 Si シリコンフォトダイオード"
高感度、低エネルギー(2keV以上)の電子ビームの直接検出
特徴
- 低エネルギー(2keV以上)の高感度電子線の直接検出
- 高利得:1100倍(入射電子エネルギー:5keV)
- 大感光領域サイズ:10×10mm
-Φ2.0mmの感光領域の中心にある穴
- セラミックパッケージ
- 磁性材料の少ない配線板を使用
感光領域:10×10mm
要素数:1
パッケージ:セラミック
入射電子エネルギー範囲(標準):2〜30keV
電子増倍ゲイン(標準):1100
逆電圧(最大):20 V
暗電流(最大):50000 pA
カットオフ周波数(typ。):4 MHz
端子容量(typ。):500pF
測定条件:Ta = 25℃、VR = 5V
或
高感度、低エネルギー(2keV以上)の電子ビームの直接検出
特徴
- 低エネルギー(2keV以上)の高感度電子線の直接検出
- 高利得:1100倍(入射電子エネルギー:5keV)
- 大感光領域サイズ:10×10mm
-Φ2.0mmの感光領域の中心にある穴
- セラミックパッケージ
- 磁性材料の少ない配線板を使用
感光領域:10×10mm
要素数:1
パッケージ:セラミック
入射電子エネルギー範囲(標準):2〜30keV
電子増倍ゲイン(標準):1100
逆電圧(最大):20 V
暗電流(最大):50000 pA
カットオフ周波数(typ。):4 MHz
端子容量(typ。):500pF
測定条件:Ta = 25℃、VR = 5V
或
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