高感度、低エネルギー (2 keV 以上) 電子ビームの直接検出
機能
-低エネルギー (2 keV 以上) の電子ビームを高感度で直接検出
-高利得: 1100 回 (入射電子エネルギー: 5 keV)
大型感光性エリアサイズ:14 × 14 mm
-感光性領域の中心のφ 2.0 mm の穴
-素子フォトダイオード
-薄いセラミックパッケージ
・磁性材料の少ない配線板を使用
感光面積:14 x 14 mm
要素数: 4
パッケージ: セラミック
入射電子エネルギー範囲 (標準): 2 ~ 30 keV
電子乗算ゲイン (標準): 1100
逆電圧 (最大):20 V
暗電流 (最大): 25000 pA
カットオフ周波数 (標準): 7 MHz
端子容量 (標準): 250 pF
測定条件: Ta = 25 ℃、VR = 5 V
機能
-低エネルギー (2 keV 以上) の電子ビームを高感度で直接検出
-高利得: 1100 回 (入射電子エネルギー: 5 keV)
大型感光性エリアサイズ:14 × 14 mm
-感光性領域の中心のφ 2.0 mm の穴
-素子フォトダイオード
-薄いセラミックパッケージ
・磁性材料の少ない配線板を使用
感光面積:14 x 14 mm
要素数: 4
パッケージ: セラミック
入射電子エネルギー範囲 (標準): 2 ~ 30 keV
電子乗算ゲイン (標準): 1100
逆電圧 (最大):20 V
暗電流 (最大): 25000 pA
カットオフ周波数 (標準): 7 MHz
端子容量 (標準): 250 pF
測定条件: Ta = 25 ℃、VR = 5 V
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