S9055Si PINフォトダイオード
S9055 Si PINフォトダイオードは、低バイアス電圧(VR = 2V)で1GHzを超える高速応答を実現します。
低容量(1pF未満)は、高速トランスインピーダンスアンプとの組み合わせに理想的です。
特徴
高周波帯域までのフラット応答特性
・高速応答:1.5GHz(VR = 2V、-3dB)
- 低容量:0.8pF(VR = 2V)
- 高信頼性パッケージ:3ピンTO-18パッケージ
感光領域:φ0.2mm
要素数:1
パッケージ:メタル
パッケージカテゴリ:TO-18
逆電圧(最大):20 V
スペクトル応答範囲:320〜1000 nm
ピーク感度波長(標準):700 nm
感光度(標準):0.25 A / W
暗電流(最大):100pA
カットオフ周波数(標準):1500 MHz
端子容量(typ。):0.8pF
測定条件:Ta = 25℃、Typ。、光感度:λ= 850nm、暗電流:VR = 2V、カットオフ周波数:VR = 2V、端子容量:VR = 2V、f = 1MHz
S9055 Si PINフォトダイオードは、低バイアス電圧(VR = 2V)で1GHzを超える高速応答を実現します。
低容量(1pF未満)は、高速トランスインピーダンスアンプとの組み合わせに理想的です。
特徴
高周波帯域までのフラット応答特性
・高速応答:1.5GHz(VR = 2V、-3dB)
- 低容量:0.8pF(VR = 2V)
- 高信頼性パッケージ:3ピンTO-18パッケージ
感光領域:φ0.2mm
要素数:1
パッケージ:メタル
パッケージカテゴリ:TO-18
逆電圧(最大):20 V
スペクトル応答範囲:320〜1000 nm
ピーク感度波長(標準):700 nm
感光度(標準):0.25 A / W
暗電流(最大):100pA
カットオフ周波数(標準):1500 MHz
端子容量(typ。):0.8pF
測定条件:Ta = 25℃、Typ。、光感度:λ= 850nm、暗電流:VR = 2V、カットオフ周波数:VR = 2V、端子容量:VR = 2V、f = 1MHz
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