大面積Si PINフォトダイオード
■特長
・BGO、CsI(TI)シンチレータに適した感度
・ベアチップタイプ (未封止)
・高量子効率
・低容量
・高速応答
・高安定性
・高エネルギー分解能
必ずお読みください
本製品は、チップが露出している未封止製品です。チップ上の電極などが外囲器によって保護されていないため一般製品と比べ、その取り扱いには厳重な注意が必要です。本製品をご使用になる前に、以下の「未封止製品/使用上の注意」を必ずお読みください。
仕様
受光面サイズ 10 × 10 mm
素子数 1
パッケージ セラミック
パッケージカテゴリ 未封止
逆電圧 max. 100 V
感度波長範囲 340~1100 nm
最大感度波長 typ. 960 nm
受光感度 typ. 0.66 A/W
暗電流 max. 6000 pA
遮断周波数 typ. 40 MHz
端子間容量 typ. 40 pF
測定条件 指定のない場合はTyp. Ta=25 ℃, 受光感度: λ=λp, 暗電流: VR=70 V, 遮断周波数: VR=70 V, 端子間容量: VR=70 V, f=1 MHz
分光感度特性
外形寸法図 (単位: mm)
顧客評価: 0